CSD17304Q3

器件3D模型

￥ 0.831

CSD17304Q3 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TDFN-8

描述:

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD17304Q3 数据手册 (11 页)

封装尺寸在6 页 9 页

CSD17304Q3 数据手册 (11 页)

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CSD17304Q3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TDFN-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0059 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.7 W

阈值电压

1.3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

56.0 A

上升时间

9.1 ns

输入电容值(Ciss)

955pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.7 W

下降时间

3.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.7W (Ta)

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CSD17304Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD17304Q3 符合标准

CSD17304Q3 数据手册

CSD17304Q3 数据手册

TI（德州仪器）

11 页 / 0.35 MByte

CSD17304Q3 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.41 MByte

CSD17304Q3 产品修订记录

TI（德州仪器）

5 页 / 0.17 MByte

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