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STP16NF06FP
0.27
STP16NF06FP 数据手册 (14 页)
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STP16NF06FP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
11.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.08 Ω
极性
N-Channel
功耗
25 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
上升时间
18 ns
输入电容值(Ciss)
315pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
25 W
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
25W (Tc)

STP16NF06FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP16NF06FP 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.31 MByte

STP16NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP16NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 16A, TO-220
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP16NF06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.07欧姆 - 16A TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.08ヘ - 16A - TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08ヘ - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET
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