器件3D模型

￥ 0.492

CSD17313Q2T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

WDFN-6

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2T 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD17313Q2T 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD17313Q2T 数据手册 (13 页)

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CSD17313Q2T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WDFN-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.024 Ω

极性

N-Channel

功耗

17 W

阈值电压

1.3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

3.9 ns

输入电容值(Ciss)

340pF @15V(Vds)

下降时间

1.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.4W (Ta), 17W (Tc)

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CSD17313Q2T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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CSD17313Q2T 符合标准

CSD17313Q2T 海关信息

CSD17313Q2T 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.37 MByte

CSD17313Q2T 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

101 页 / 5.8 MByte

CSD17313Q2T 开发手册

TI（德州仪器）

18 页 / 1.33 MByte

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