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CSD17313Q2-Q1
器件3D模型
2278
CSD17313Q2-Q1 数据手册 (13 页)
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CSD17313Q2-Q1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
WSON
极性
N-Channel
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
5A
上升时间
3.9 ns
下降时间
1.3 ns

CSD17313Q2-Q1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

CSD17313Q2-Q1 数据手册

TI(德州仪器)
13 页 / 0.39 MByte

CSD17313Q2 数据手册

TI(德州仪器)
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  CSD17313Q2Q1  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  CSD17313Q2T  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V 新
TI(德州仪器)
场效应管(MOSFET) CSD17313Q2Q1T WSON-6(2x2)
TI(德州仪器)
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