￥ 7.613

CSD17585F5 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PICOSTAR-3

描述:

CSD17585F5 30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

CSD17585F5 数据手册 (15 页)

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CSD17585F5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

PICOSTAR-3

极性

N-CH

功耗

1.4 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

5.9A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

380pF @15V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

CSD17585F5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD17585F5 符合标准

CSD17585F5 海关信息

CSD17585F5 概述

CSD17585F5 数据手册

CSD17585F5 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

11 页 / 0.34 MByte

CSD17585F5 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.41 MByte

CSD17585 数据手册

CSD17585F5 数据手册

TI（德州仪器）

CSD17585F5 30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET

CSD17585F5T 数据手册

TI（德州仪器）

30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、33mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

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