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SSTA56T116
0.046
SSTA56T116 数据手册 (3 页)
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SSTA56T116 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
极性
PNP
功耗
350 mW
增益频宽积
50 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
100 @100mA, 1V
最大电流放大倍数
100 @10mA, 1V
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

SSTA56T116 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SSTA56T116 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.36 MByte

SSTA56 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
PNP通用晶体管 PNP General Purpose Transistor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 100 hFE
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