￥ 1.154

CSD18504Q5AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-8

描述:

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、6.6mΩ 8-VSONP -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD18504Q5AT 数据手册 (15 页)

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CSD18504Q5AT 数据手册 (15 页)

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CSD18504Q5AT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-8

极性

N-CH

功耗

3.1 W

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

6.8 ns

输入电容值(Ciss)

1380pF @20V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3100 mW

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CSD18504Q5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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CSD18504Q5AT 符合标准

CSD18504Q5AT 海关信息

CSD18504Q5AT 概述

CSD18504Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

15 页 / 0.93 MByte

CSD18504Q5AT 其他数据使用手册

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15 页 / 0.93 MByte

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40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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