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器件3D模型
¥ 0.278
UCC27325DGNR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
PowerPad-MSOP-8
描述:
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
UCC27325DGNR 数据手册 (34 页)
引脚图
在
4 页
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封装尺寸
在
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典型应用电路图
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在
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UCC27325DGNR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.00V (min)
封装
PowerPad-MSOP-8
上升/下降时间
20ns, 15ns
输出接口数
2 Output
功耗
2.12 W
上升时间
40 ns
下降时间
40 ns
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2120 mW
电源电压
4.5V ~ 15V
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UCC27325DGNR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
UCC27325DGNR 符合标准
UCC27325DGNR 概述
●
低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-HVSSOP
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UCC27325DGNR
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UCC27325 数据手册
UCC27325
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TI(德州仪器)
双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器
UCC27325
DR
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
UCC27325
D
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TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
UCC27325
DGN
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
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DGNR
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
UCC27325
P
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
UCC27325
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DGNG4
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DGNRG4
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DRG4
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