￥ 2.972

CSD18535KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

CSD18535KCS 60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD18535KCS 数据手册 (11 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 9 页

CSD18535KCS 数据手册 (11 页)

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CSD18535KCS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

2.3 mΩ

极性

N-CH

功耗

300 W

阈值电压

1.4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

200A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

6620pF @30V(Vds)

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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CSD18535KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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CSD18535KCS 符合标准

CSD18535KCS 概述

CSD18535KCS 数据手册

TI（德州仪器）

11 页 / 0.34 MByte

CSD18535KCS 其他数据使用手册

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3 页 / 0.18 MByte

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