￥ 0

CSD18563Q5A-P 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

描述:

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、6.8mΩ 8-VSONP -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD18563Q5A-P 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD18563Q5A-P 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

CSD18563Q5A-P 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

上升时间

6.3 ns

输入电容值(Ciss)

1150pF @30V(Vds)

下降时间

1.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3200 mW

查看数据手册 >

CSD18563Q5A-P 符合标准

CSD18563Q5A-P 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.8 MByte

CSD18563Q5 数据手册

CSD18563Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18563Q5A

CSD18563Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD18563Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V

CSD18563Q5A-P 数据手册

TI（德州仪器）

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、6.8mΩ 8-VSONP -55 to 150

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号