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FDS6690AS
器件3D模型
1
FDS6690AS 数据手册 (11 页)
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FDS6690AS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
10.0 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.01 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
1.6 V
输入电容
910 pF
栅电荷
16.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
910pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

FDS6690AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS6690AS 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.24 MByte

FDS6690 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6690A  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6690A, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6690AS  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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