￥ 1.639

CSD19503KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19503KCS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD19503KCS 数据手册 (11 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 9 页

CSD19503KCS 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

CSD19503KCS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0076 Ω

极性

N-Channel

功耗

188 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

2730pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

188 W

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

188W (Tc)

查看数据手册 >

CSD19503KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

CSD19503KCS 符合标准

CSD19503KCS 概述

CSD19503KCS 数据手册

TI（德州仪器）

11 页 / 0.66 MByte

CSD19503KCS 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

15 页 / 0.21 MByte

CSD19503KCS 产品修订记录

TI（德州仪器）

7 页 / 0.32 MByte

CSD19503 数据手册

CSD19503KCS 数据手册

TI（德州仪器）

80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19503KCS

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号