￥ 2.005

CSD19531KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19531KCS 数据手册 (12 页)

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封装尺寸在9 页 10 页

CSD19531KCS 数据手册 (12 页)

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CSD19531KCS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0064 Ω

极性

N-Channel

功耗

179 W

阈值电压

2.7 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

7.2 ns

输入电容值(Ciss)

3870pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

214 W

下降时间

4.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

214W (Tc)

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CSD19531KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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CSD19531KCS 符合标准

CSD19531KCS 海关信息

CSD19531KCS 概述

CSD19531KCS 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.38 MByte

CSD19531KCS 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

11 页 / 0.36 MByte

CSD19531KCS 产品设计图

TI（德州仪器）

1 页 / 0.1 MByte

CSD19531KCS 产品修订记录

TI（德州仪器）

7 页 / 0.32 MByte

CSD19531 数据手册

CSD19531Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V

CSD19531KCS 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3

CSD19531Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V

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