￥ 1.582

CSD19532KTT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19532KTT 数据手册 (12 页)

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CSD19532KTT 数据手册 (12 页)

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CSD19532KTT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

250 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

200A

上升时间

3 ns

正向电压(Max)

1 V

输入电容值(Ciss)

5060pF @50V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

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CSD19532KTT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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CSD19532KTT 符合标准

CSD19532KTT 海关信息

CSD19532KTT 概述

CSD19532KTT 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.35 MByte

CSD19532 数据手册

CSD19532Q5B 数据手册

TI（德州仪器）

N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19532Q5B

CSD19532KTT 数据手册

TI（德州仪器）

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

CSD19532KTTT 数据手册

TI（德州仪器）

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=200A P=250W

CSD19532Q5BT 数据手册

TI（德州仪器）

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.9mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

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