￥ 3.117

CSD19533Q5AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSONP-8

描述:

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.5mΩ 8-VSONP -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19533Q5AT 数据手册 (16 页)

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CSD19533Q5AT 数据手册 (16 页)

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CSD19533Q5AT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSONP-8

极性

N-CH

功耗

3.2 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

2050pF @50V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3200 mW

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CSD19533Q5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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CSD19533Q5AT 符合标准

CSD19533Q5AT 海关信息

CSD19533Q5AT 概述

CSD19533Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

16 页 / 1.27 MByte

CSD19533Q5AT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

16 页 / 1.28 MByte

CSD19533Q5AT 开发手册

TI（德州仪器）

18 页 / 1.33 MByte

CSD19533Q5 数据手册

CSD19533Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A

CSD19533Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.5mΩ 8-VSONP -55 to 150

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