器件3D模型

￥ 0.356

CSD22202W15 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

DSBGA-9

描述:

P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD22202W15 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 10 页

CSD22202W15 数据手册 (12 页)

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CSD22202W15 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

9 Pin

封装

DSBGA-9

极性

P-CH

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

8 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

8.4 ns

输入电容值(Ciss)

1390pF @4V(Vds)

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.5W (Ta)

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CSD22202W15 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

1.5 mm

宽度

1.5 mm

高度

0.62 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD22202W15 符合标准

CSD22202W15 海关信息

CSD22202W15 概述

CSD22202W15 数据手册

TI（德州仪器）

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P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15

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