STF7NM80

￥ 1.601

STF7NM80 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道800 V ， 0.95 Ω ， 6.5 A TO - 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ω, 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK MDmesh™ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STF7NM80 数据手册 (17 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页

STF7NM80 数据手册 (17 页)

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STF7NM80 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.05 Ω

极性

N-Channel

功耗

25 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

连续漏极电流(Ids)

3.25 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

620pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

25 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

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STF7NM80 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STF7NM80 符合标准

STF7NM80 海关信息

STF7NM80 数据手册

STF7NM80 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.94 MByte

STF7NM80 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.75 MByte

STF7NM80 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 0.85 MByte

STF7NM80 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 0.67 MByte

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