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CSD23381F4 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PICOSTAR-3

描述:

P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD23381F4 数据手册 (13 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 11 页

CSD23381F4 数据手册 (13 页)

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CSD23381F4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

PICOSTAR-3

通道数

1 Channel

极性

P-CH

功耗

500 mW

阈值电压

950 mV

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

2.3A

上升时间

3.9 ns

输入电容值(Ciss)

236pF @6V(Vds)

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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CSD23381F4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1 mm

宽度

0.64 mm

高度

0.35 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD23381F4 符合标准

CSD23381F4 概述

CSD23381F4 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.77 MByte

CSD23381F4 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

8 页 / 0.46 MByte

CSD23381 数据手册

CSD23381F4 数据手册

TI（德州仪器）

P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments

CSD23381F4T 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD23381F4T 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.3 A, -12 V, 0.15 ohm, -4.5 V, -950 mV

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