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CSD23382F4 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PICOSTAR-3

描述:

-12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD23382F4 数据手册 (13 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 11 页

CSD23382F4 数据手册 (13 页)

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CSD23382F4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

PICOSTAR-3

极性

P-CH

功耗

0.5 W

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

3.5A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

235pF @6V(Vds)

下降时间

41 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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CSD23382F4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD23382F4 符合标准

CSD23382F4 概述

CSD23382F4 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.73 MByte

CSD23382F4 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

8 页 / 0.46 MByte

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TEXAS INSTRUMENTS CSD23382F4T 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, -800 mV

CSD23382F4 数据手册

TI（德州仪器）

-12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0

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