FQPF6N90C

￥ 0.969

FQPF6N90C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N90C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.93 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQPF6N90C 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

FQPF6N90C 数据手册 (10 页)

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FQPF6N90C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.93 Ω

极性

N-Channel

功耗

56 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

900 V

漏源击穿电压

900 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

1770pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

56 W

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

56W (Tc)

查看数据手册 >

FQPF6N90C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.16 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.19 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQPF6N90C 符合标准

FQPF6N90C 海关信息

FQPF6N90C 数据手册

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