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CSD75207W15 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

UFBGA-9

描述:

双路 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD75207W15

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD75207W15 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 10 页

CSD75207W15 数据手册 (12 页)

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CSD75207W15 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

9 Pin

封装

UFBGA-9

漏源极电阻

54 mΩ

极性

P-CH

功耗

0.7 W

阈值电压

800 mV

上升时间

8.6 ns

输入电容值(Ciss)

595pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700 mW

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CSD75207W15 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD75207W15 符合标准

CSD75207W15 海关信息

CSD75207W15 概述

CSD75207W15 数据手册

TI（德州仪器）

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双路 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD75207W15

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