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STD17NF03LT4
0.213
STD17NF03LT4 数据手册 (14 页)
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STD17NF03LT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
17.0 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
N-Channel
功耗
30 W
阈值电压
1.5 V
输入电容
320 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
17.0 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
320pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
30 W
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
30W (Tc)

STD17NF03LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD17NF03LT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.29 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.28 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.24 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD17NF03 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.038ohm - 17A - DPAK / IPAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.038ohm - 17A - DPAK / IPAK的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.038ohm - 17A - DPAK / IPAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.038ohm - 17A - DPAK / IPAK的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
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