￥ 0.397

CSD85302L 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

Picostar-4

描述:

20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD85302L 数据手册 (13 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 11 页

CSD85302L 数据手册 (13 页)

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CSD85302L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

Picostar-4

通道数

2 Channel

极性

N-CH

功耗

1.7 W

阈值电压

680 mV

上升时间

54 ns

额定功率(Max)

1.7 W

下降时间

99 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1700 mW

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CSD85302L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.35 mm

宽度

1.35 mm

高度

0.22 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD85302L 符合标准

CSD85302L 海关信息

CSD85302L 概述

CSD85302L 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.4 MByte

CSD85302L 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

23 页 / 0.17 MByte

CSD85302 数据手册

CSD85302L 数据手册

TI（德州仪器）

20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150

CSD85302LT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD85302LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 900 mV

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