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RJK005N03T146
0.041
RJK005N03T146 数据手册 (3 页)
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RJK005N03T146 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
650 mΩ
极性
N-Channel
功耗
0.2 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
500 mA
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
60pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
200 mW
下降时间
31 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200mW (Ta)

RJK005N03T146 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

RJK005N03T146 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.04 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

RJK005N03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RJK005N03 N沟道MOSFET 30V 500mA/0.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 KV 低栅极电荷快速开关/ESD保护门
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N-沟道 200 mW 30 V 0.42 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - SC-59
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RJK005N03FRAT146  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
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