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CSD85312Q3E 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PowerVDFN-8

描述:

双路 20V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD85312Q3E

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD85312Q3E 数据手册 (13 页)

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CSD85312Q3E 数据手册 (13 页)

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CSD85312Q3E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerVDFN-8

漏源极电阻

0.0103 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

39A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

2390pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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CSD85312Q3E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD85312Q3E 符合标准

CSD85312Q3E 海关信息

CSD85312Q3E 概述

CSD85312Q3E 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 1.42 MByte

CSD85312Q3E 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

2 页 / 0.23 MByte

CSD85312Q3 数据手册

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双路 20V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD85312Q3E

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