￥ 2.213

CSD87335Q3DT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

LSON-CLIP-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD87335Q3DT 单晶体管双极, 双N沟道, 30 V, 6.7 ohm, 4.5 V, 750 mV 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD87335Q3DT 数据手册 (23 页)

引脚图在20 页Hot

封装尺寸在18 页 21 页

典型应用电路图在13 页

CSD87335Q3DT 数据手册 (23 页)

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CSD87335Q3DT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

LSON-CLIP-8

通道数

2 Channel

漏源极电阻

0.0067 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

6 W

阈值电压

750 mV

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

25A

输入电容值(Ciss)

1050pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

6 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

6000 mW

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CSD87335Q3DT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

3.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD87335Q3DT 符合标准

CSD87335Q3DT 海关信息

CSD87335Q3DT 概述

CSD87335Q3DT 数据手册

TI（德州仪器）

23 页 / 0.6 MByte

CSD87335Q3DT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

3 页 / 0.19 MByte

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