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器件3D模型
¥ 0.901
CSD87381PT 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
MOS管
封装:
LGA-5
描述:
Power MOSFET Modules, Texas Instruments半桥 NexFET 电源块 ### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
CSD87381PT 数据手册 (25 页)
引脚图
在
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封装尺寸
在
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典型应用电路图
在
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CSD87381PT 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
封装
LGA-5
输出接口数
1 Output
通道数
2 Channel
漏源极电阻
0.0136 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
4 W
阈值电压
1.9 V
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电压(Max)
24 V
输出电压(Max)
1.3 V
输出电流(Max)
15 A
输入电容值(Ciss)
564pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
4 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
4000 mW
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CSD87381PT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
2.5 mm
高度
0.48 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD87381PT 符合标准
CSD87381PT 概述
●
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
●
半桥 NexFET 电源块
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CSD87381 数据手册
CSD87381
PT
数据手册
TI(德州仪器)
Power MOSFET Modules, Texas Instruments半桥 NexFET 电源块 ### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
CSD87381
P
数据手册
TI(德州仪器)
同步降压 NexFETTM 电源块,CSD87381P
CSD87381
PEVM-603
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