CSD95375Q4M 数据手册 - TI（德州仪器）

●CSD95375Q4M NexFET 功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。 此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能，此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。 此外，驱动器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持针对 Windows 8启用连接待机。 借助于 PWM 输入三态，静态电流被减少至 130µA，并支持立即响应。 当 SKIP# 被保持在三态时，电流被减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。 这个组合可在小型 3.5 x 4.5mm 外形尺寸封装中实现高电流、高效和高速开关器件。 此外，PCB 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

● 15A 电流时系统效率达 93%

● 最大额定持续电流 25A，峰值 60A

● 高频运行（高达 2MHz）

● 高密度 - 3.5 × 4.5mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装

● 超低电感封装

● 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装

● 超低静态 (ULQ) 电流模式

● 与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容

● 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式

● 三态 PWM 输入

● 集成型自举二极管

● 击穿保护

● 符合 RoHS 环保标准 – 无铅端子镀层

● 无卤素

●## 应用范围

● 超级本/笔记本 DC/DC 转换器

● 多相 Vcore 和 DDR 解决方案

● 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

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