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D55342K07B30E1RWB
器件3D模型
0.385
D55342K07B30E1RWB 数据手册 (4 页)
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D55342K07B30E1RWB 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
1206
额定功率
250 mW
电阻
30.1 kΩ
阻值偏差
±1 %
额定电压
100 V

D55342K07B30E1RWB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Each
工作温度
-55℃ ~ 150℃
温度系数
±100 ppm/℃

D55342K07B30E1RWB 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
4 页 / 0.1 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
4 页 / 0.1 MByte

D55342K07B30E1 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
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Vishay Dale(威世达勒)
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