DA108S1

器件3D模型

￥ 7.823

DA108S1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

TVS二极管

封装:

SOIC-8

描述:

DA 系列，二极管阵列8 或 12 二极管阵列用于通过钳紧操作保护信号线的瞬间过电压瞬时保护输入/输出线微控制器，符合 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（空气），±8kV（触点）低输入电容每个二极管的最大电压为 18 V 保护 ISDN S 接口逻辑侧的应用 ### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DA108S1 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

典型应用电路图在1 页

DA108S1 数据手册 (8 页)

3

4

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DA108S1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

18.0 V

工作电压

1.2 V

封装

SOIC-8

击穿电压

18 V

通道数

8 Channel

针脚数

8 Position

正向电压

9 V

功耗

730 mW

正向电流

50 mA

脉冲峰值功率

730 mW

正向电压(Max)

9 V

正向电流(Max)

50 mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

730 mW

查看数据手册 >

DA108S1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.25 mm

重量

0.004535924 kg

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

DA108S1 符合标准

DA108S1 海关信息

DA108S1 概述

DA108S1 数据手册

DA108S1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.12 MByte

DA108S1 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.11 MByte

DA108S1 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.35 MByte

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STMICROELECTRONICS DA108S1RL TVS二极管, TVS, DA1系列, 单向, 18 V, SOIC, 8 引脚

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DA 系列，二极管阵列8 或 12 二极管阵列用于通过钳紧操作保护信号线的瞬间过电压瞬时保护输入/输出线微控制器，符合 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（空气），±8kV（触点）低输入电容每个二极管的最大电压为 18 V 保护 ISDN S 接口逻辑侧的应用 ### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics

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