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DDTC114WE-7
0.072
DDTC114WE-7 数据手册 (4 页)
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DDTC114WE-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-523-3
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
24 @10mA, 5V
最大电流放大倍数
24
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

DDTC114WE-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.6 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.75 mm

DDTC114WE-7 数据手册

Diodes(美台)
4 页 / 0.17 MByte
Diodes(美台)
17 页 / 0.06 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.13 MByte

DDTC114 数据手册

Diodes(美台)
特性外延平面电路小片建设互补PNP类型有(DDTA)内置偏置电阻R1= R2无铅/ RoHS标准
Diodes(美台)
DDTC114CA 系列 NPN 50 V 100 mA 数字 晶体管 表面贴装 - SOT-23-3
Diodes(美台)
DDTC114YCA-7-F 编带
Diodes(美台)
NPN - 预偏压 100mA 50V
Diodes(美台)
特性外延平面电路小片建设互补PNP类型有(DDTA)内置偏置电阻R1= R2无铅/ RoHS标准
Diodes(美台)
特性•外延平面模具构建•互补PNP类型可用(DDTA)•内置偏置电阻器R1≠R2•无铅/ RoHS标准•“绿色”设备
Diodes(美台)
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
Diodes(美台)
双极晶体管 - 预偏置 250mW Single (R1/R2)
Diodes(美台)
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K 4.7K
Diodes(美台)
NPN - 预偏压 100mA 50V
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