器件3D模型

￥ 0.02

MSB1218A-RT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SC-70-3

描述:

PNP硅通用晶体管放大器 PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MSB1218A-RT1G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

MSB1218A-RT1G 数据手册 (4 页)

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MSB1218A-RT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-45.0 V

额定电流

-100 mA

封装

SC-70-3

极性

PNP

功耗

0.15 W

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

0.1A

最小电流放大倍数

210 @2mA, 10V

额定功率(Max)

150 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

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MSB1218A-RT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

MSB1218A-RT1G 符合标准

MSB1218A-RT1G 海关信息

MSB1218A-RT1G 概述

MSB1218A-RT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.11 MByte

MSB1218A-RT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.1 MByte

MSB1218A-RT1G 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.1 MByte

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