￥ 0.026

DMG2307L-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

三极管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMG2307L-7 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

DMG2307L-7 数据手册 (6 页)

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DMG2307L-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

0.76 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.07 Ω

极性

P-CH

功耗

1.36 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

3.8A

上升时间

7.3 ns

输入电容值(Ciss)

371.3pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

760 mW

下降时间

13.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

760mW (Ta)

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DMG2307L-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMG2307L-7 符合标准

DMG2307L-7 海关信息

DMG2307L-7 概述

DMG2307L-7 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.33 MByte

DMG2307L-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

199 页 / 0.86 MByte

DMG2307L-7 开发手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.64 MByte

DMG2307L-7 产品修订记录

Diodes（美台）

7 页 / 0.18 MByte

DMG2307 数据手册

DMG2307L-7 数据手册

Diodes（美台）

三极管

DMG2307L 数据手册

Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -4.6 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -1 V

DMG2307L 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

DIODES INC. DMG2307L 晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -4.6 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -1 V

DMG2307L-7 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

P 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

DMG2307LQ-7 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

DMG2307L-7 数据手册

Zetex

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