￥ 0.104

DMG6602SVT 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

封装:

TSOT-26

描述:

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMG6602SVT 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

DMG6602SVT 数据手册 (10 页)

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DMG6602SVT 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-26

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.038 Ω

功耗

1.12 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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DMG6602SVT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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DMG6602SVT 符合标准

DMG6602SVT 概述

DMG6602SVT 数据手册

Diodes（美台）

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