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IRLML2402TRPBF
器件3D模型
0.044
IRLML2402TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRLML2402TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.54 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.25 Ω
极性
N-Channel
功耗
540 mW
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
1.2A
上升时间
9.5 ns
输入电容值(Ciss)
110pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
540 mW
下降时间
4.8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
540mW (Ta)

IRLML2402TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLML2402TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.24 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.04 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRLML2402 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
20V,1.2A,单N沟道HEXFET功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
HEXFET®功率MOSFET快速切换
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML2402PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 250 mohm, 4.5 V, 700 mV
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