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DMN2004K-7
0.029
DMN2004K-7 数据手册 (6 页)
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DMN2004K-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.55 Ω
极性
N-Channel
功耗
350 mW
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
540 mA
上升时间
8.4 ns
正向电压(Max)
1 V
输入电容值(Ciss)
150pF @16V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW
下降时间
37.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
350mW (Ta)

DMN2004K-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

DMN2004K-7 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.23 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.13 MByte

DMN2004 数据手册

Diodes(美台)
DMN2004K-7 编带
Diodes(美台)
DMN2004WK-7 编带
Diodes(美台)
DMN2004DWK-7 编带
Diodes(美台)
DMN2004VK 系列 20 V 550 mOhm 双 N-沟道 增强模式 晶体管
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN2004DMK-7 SOT-26
Diodes(美台)
N沟道 20V 540mA
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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