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DMN65D8L-7
0.011
DMN65D8L-7 数据手册 (6 页)
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DMN65D8L-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2 Ω
极性
N-Channel
功耗
370 mW
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.31A
上升时间
2.8 ns
输入电容值(Ciss)
22pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
370 mW
下降时间
7.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
540 mW

DMN65D8L-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

DMN65D8L-7 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.14 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
9 页 / 0.49 MByte

DMN65D8 数据手册

Diodes(美台)
DMN65D8L-7 编带
Diodes(美台)
DMN65D8LDW-7 编带
Diodes(美台)
集成电路
Diodes(美台)
DMN65D8LFb-7B 编带
Diodes(美台)
N沟道 60V 260mA
Diodes(美台)
N沟道 60V 310mA
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN65D8LQ-13 SOT-23-3
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN65D8LDWQ-7 SOT-363
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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