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Datasheet 搜索 > MOS管 > Diodes(美台) > DMT6016LSS-13 Datasheet 文档
DMT6016LSS-13
器件3D模型
0.173
DMT6016LSS-13 数据手册 (38 页)
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DMT6016LSS-13 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
极性
N-CH
功耗
2.1 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
9.2A
上升时间
5.2 ns
输入电容值(Ciss)
864pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
1.5 W
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.5W (Ta)

DMT6016LSS-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

DMT6016LSS-13 数据手册

Diodes(美台)
38 页 / 0.39 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.38 MByte

DMT6016 数据手册

Diodes(美台)
DMT6016LSS-13 编带
Diodes(美台)
N沟道 60V 8.9A
Diodes(美台)
N沟道 60V 10.6A
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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