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Datasheet 搜索 > EEPROM芯片 > Maxim Integrated(美信) > DS28E01P-100+T Datasheet 文档
DS28E01P-100+T
0.89
DS28E01P-100+T 数据手册 (21 页)
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DS28E01P-100+T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
电源电压
2.80V (min)
封装
TSOC-6
针脚数
6 Position
存取时间
2 μs
内存容量
125 B
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.85V ~ 5.25V
电源电压(Max)
5.25 V
电源电压(Min)
2.8 V

DS28E01P-100+T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 85℃

DS28E01P-100+T 数据手册

Maxim Integrated(美信)
21 页 / 0.26 MByte
Maxim Integrated(美信)
2 页 / 0.74 MByte
Maxim Integrated(美信)
6 页 / 0.11 MByte

DS28E01P100 数据手册

Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS28E01P-100+.  EEPROM, 1 Kbit, 256K x 4位, 串行SPI, TSOC, 6 引脚
Maxim Integrated(美信)
1Kb,保护型1 - Wire EEPROM,带有SHA-1引擎 1Kb Protected 1-Wire EEPROM with SHA-1 Engine
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS28E01P-100+T  EEPROM, 1 Kbit, 128 x 8位, 串行, TSOC, 6 引脚
Maxim Integrated(美信)
Maxim Integrated(美信)
1Kb,保护型1 - Wire EEPROM,带有SHA-1引擎 1Kb Protected 1-Wire EEPROM with SHA-1 Engine
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
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