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DTA114EMT2L
0.015
DTA114EMT2L 数据手册 (13 页)
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DTA114EMT2L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-50.0 mA
封装
VMT-3
额定功率
0.15 W
极性
PNP
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
20 @5mA, 5V
最大电流放大倍数
30
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
150 mW

DTA114EMT2L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.2 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTA114EMT2L 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
13 页 / 3.58 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
157 页 / 2.2 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

DTA114EMT2 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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