￥ 1.321

IXTP05N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

IXTP 系列单 N沟道 1000 V 17 Ohm 40 W 高压 Mosfet - TO-220AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTP05N100 数据手册 (5 页)

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IXTP05N100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

17 Ω

极性

N-CH

功耗

40 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

1000 V

漏源击穿电压

1000 V

连续漏极电流(Ids)

0.75A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

260pF @25V(Vds)

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

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IXTP05N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.41 mm

宽度

4.83 mm

高度

16 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTP05N100 符合标准

IXTP05N100 海关信息

IXTP05N100 概述

IXTP05N100 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.18 MByte

IXTP05N100 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.18 MByte

IXTP05N100 产品手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.52 MByte

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