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DTC113ZKAT146
0.012
DTC113ZKAT146 数据手册 (9 页)
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DTC113ZKAT146 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.2 W
极性
N-Channel, NPN
功耗
0.2 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
33 @5mA, 5V
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
200 mW

DTC113ZKAT146 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTC113ZKAT146 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.63 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.07 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2 页 / 0.44 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

DTC113 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC113ZUAT106  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 33 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTC113ZKA 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - SC-59
Micro Commercial Components(美微科)
CJ(长电科技)
数字晶体管 DTC113ZCA E21 SOT-23
ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT) R1 = 1千欧? R2 = 1,科恩? Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhn
CJ(长电科技)
数字晶体管 DTC113ZUA E21 SOT-323
ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT) R1 = 1千欧? R2 = 1,科恩? Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhn
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTC113ZUA 带阻NPN三极管 100mA/0.1A 1k 10k SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 121
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
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