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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > DTC114EET1G Datasheet 文档
DTC114EET1G
器件3D模型
0.015
DTC114EET1G 数据手册 (12 页)
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DTC114EET1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
70.0 mA
封装
SC-75-3
额定功率
200 mW
无卤素状态
Halogen Free
输出电压
≥300 mV
极性
NPN
功耗
0.3 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
35
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
338 mW

DTC114EET1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.65 mm
宽度
0.9 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTC114EET1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.08 MByte

DTC114EET1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  DTC114EET1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416
Leshan Radio(乐山无线电)
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