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DTC114TET1G
0.029
DTC114TET1G 数据手册 (12 页)
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DTC114TET1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-416-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
NPN
功耗
0.3 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
160 @5mA, 10V
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

DTC114TET1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.65 mm
宽度
0.9 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTC114TET1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.08 MByte

DTC114TET1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Leshan Radio(乐山无线电)
Diodes(美台)
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