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DTC144GUAT106
器件3D模型
0.001
DTC144GUAT106 数据手册 (9 页)
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DTC144GUAT106 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-3
额定功率
0.2 W
极性
NPN
功耗
0.2 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
68 @5mA, 5V
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
200 mW

DTC144GUAT106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTC144GUAT106 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.13 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.13 MByte

DTC144 数据手册

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  DTC144EET1G  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC144EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC144EUAT106  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC144EETL  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 68 hFE
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双电阻器数字 NPN 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTC144WKAT146 编带
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
通用三极管 DTC144TKAT146 6 SOT-346(SC-59)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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