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EMH11T2R
0.03
EMH11T2R 数据手册 (9 页)
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EMH11T2R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
50.0 mA
封装
SOT-563
额定功率
0.15 W
极性
N-Channel, NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
30 @5mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
30
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
150 mW

EMH11T2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.7 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

EMH11T2R 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 0.57 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.44 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

EMH11T2 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双电阻器数字 NPN 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
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