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QS8J4TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SMD-8

描述:

场效应管(MOSFET) QS8J4TR TSMT8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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QS8J4TR 数据手册 (12 页)

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QS8J4TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SMD-8

通道数

2 Channel

极性

P-CH

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

±30 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

800pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

550 mW

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1500 mW

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QS8J4TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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QS8J4TR 符合标准

QS8J4TR 概述

QS8J4TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 2.36 MByte

QS8J4TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 0.47 MByte

QS8J4TR 产品封装文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.07 MByte

QS8J4TR 产品手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

38 页 / 10.45 MByte

QS8J4 数据手册

QS8J4TR 数据手册

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场效应管(MOSFET) QS8J4TR TSMT8

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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.04 ohm, -10 V, -2.5 V

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