ESD0P8RFL 数据手册 - Infineon（英飞凌）

●极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 50V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 10A 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| RF ESD Protection Diodes ;Features • ESD protection of RF antenna / interfaces or ultra high speed data lines acc. to: IEC61000-4-2 (ESD): ± 20 kV (air / contact) IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns) IEC61000-4-5 (surge): 10 A (8/20 µs) • Very low line capacitance: 0.8 pF @ 1 GHz ( 0.4 pF per diode) • Ultra low series inductance: 0.4 nH per diode • Very low clamping voltage • Ultra small leadless package 1.2 x 0.8 x 0.39 mm • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 描述与应用| 射频 ESD保护二极管;特性 •RF天线/ ESD保护 接口或超高速数据线符合： IEC61000-4-2（ESD）：±20千伏（空气/接触） IEC61000-4-4（EFT）：40（5/50ns） IEC61000-4-5（浪涌）：10 A（8/20微秒） •极低的线路电容：0.8 pF@ 1 GHz的 （0.4 pF每二极管） •超低串联电感：0.4 nH的每二极管 •极低钳位电压 •超小型1.2×0.8×0.39毫米无引线封装 •无铅包装（符合RoHS） •符合AEC Q101