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IXFN130N30 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN130N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 300 V, 22 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN130N30 数据手册 (4 页)

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IXFN130N30 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

300 V

额定电流

130 A

封装

SOT-227-4

额定功率

700 W

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.022 Ω

极性

N-Channel

功耗

700 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

300 V

连续漏极电流(Ids)

130 A

上升时间

75 ns

输入电容值(Ciss)

14500pF @25V(Vds)

下降时间

31 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

700W (Tc)

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IXFN130N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

重量

0.000036 kg

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IXFN130N30 符合标准

IXFN130N30 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.15 MByte

IXFN130N30 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.15 MByte

IXFN130 数据手册

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