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FCA22N60N
3.224
FCA22N60N 数据手册 (8 页)
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FCA22N60N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
16.7 ns
输入电容值(Ciss)
1950pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
205 W
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
205 W

FCA22N60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
高度
20.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FCA22N60N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 1.41 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.51 MByte

FCA22N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCA22N60N.  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 22A, TO-3PN
ON Semiconductor(安森美)
SupreMOS® MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Freescale(飞思卡尔)
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